Počet záznamů: 1
Co‐implantation of Er and Yb ions into single‐crystalline and nano‐crystalline diamond
- 1.
SYSNO ASEP 0500971 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Co‐implantation of Er and Yb ions into single‐crystalline and nano‐crystalline diamond Tvůrce(i) Cajzl, Jakub (URE-Y)
Akhetova, B. (CZ)
Nekvindová, P. (CZ)
Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Malinský, Petr (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAICelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Surface and Interface Analysis. - : Wiley - ISSN 0142-2421
Roč. 50, č. 11 (2018), s. 1218-1223Poč.str. 6 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 17th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA 2017) Datum konání 24.09.2017 - 29.09.2017 Místo konání Monpellier Země FR - Francie Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova nano-crystalline diamond ; diamond ; erbium ; ytterbium Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) Vědní obor RIV – spolupráce Ústav jaderné fyziky - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
Fyzikální ústav - Fyzika pevných látek a magnetismusCEP LM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA15-01602S GA ČR - Grantová agentura ČR LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 ; UJF-V - RVO:61389005 ; FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000448889600044 EID SCOPUS 85042789506 DOI 10.1002/sia.6407 Anotace The paper reports on the results of Er-Yb and Er-Al co-implantation into commercial single-crystalline diamonds as well as into nano-crystalline diamond (NCD) thin films and their photoluminescence properties. The NCD thin films were deposited on fused silica glass by linear-antenna microwave plasma-enhanced chemical vapour deposition (PE MWCVD). Er implantation was performed at an energy of 190 keV and fluences of 1 x 10(15) and 5 x 10(15) ions. cm(-2) followed by Yb co-implantation under the same conditions or Al co-implantation at an energy of 40 keV and the same fluences. The concentration depth profiles of the elements and the degree of their crystal damage (structural ordering) were measured using Rutherford backscattering spectroscopy and Rutherford backscattering spectroscopy/channelling, respectively. Structural changes were studied by Raman spectroscopy. All Er-Yb doped samples revealed measurable photoluminescence at approximately 1.5 mu m. A comparison with Er-implanted samples showed that the Er-Yb co-implantation was beneficial for the photoluminescence at 1.5 mu m in both substrates. Er-doped NCD films revealed higher intensity of luminescence than Er-doped single-crystal diamond. This observation is attributed to the specific incorporation of Er into the diamond and at the grain boundaries Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1