Počet záznamů: 1
High Power Switch for Pockels cell
- 1.
SYSNO ASEP 0500281 Druh ASEP L - Prototyp, funkční vzorek Zařazení RIV G - Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek) Poddruh RIV Funkční vzorek Název High Power Switch for Pockels cell Tvůrce(i) Červenka, Vlastimil (FZU-D)
Huynh, Jaroslav (FZU-D) RID, ORCID
Řeháková, Martina (FZU-D)Rok vydání 2018 Int.kód HiLASE 03/2018 Technické parametry Max. spínané napětí >7,2kV ověřeno, předpoklad 10kV, max. frekvence spínání >1MHz, ověřeno v burst módu, max. součin spínací frekvence a spínaného napětí >5MHz x kV. Ekonomické parametry Odhadovaná koncová cena zařízení do 30 tis. Kč (bez napájecích zdrojů a přídavné bezindukční zátěže), celková celosvětová kapacita do 100 ks/rok s meziročním růstem nad 5% Název vlastníka Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Oddělení 53-Centrum HiLASE, Dolní Břežany IČ vlastníka 68378271 Kat.výsl.dle nákl. A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč Využ. jiným subjektem A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence Požad. na licenč. popl. A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Jazyk dok. eng - angličtina Země vlastníka CZ - Česká republika Klíč. slova pockels Cell ; High voltage switch ; transistor MOSFET ; stack of transistors ; protective circuits ; monitoring circuits Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery Obor OECD Optics (including laser optics and quantum optics) CEP LO1602 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA16-12960S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Concept of high voltage power switch is described. The solution use modern switching elements as Silicium and Silicium-carbide power MOSFET transistors. Short switching times (10ns) are reached in coincidence with big switching power (>100kW) and resistance against overcurrent (sparks) and overvoltage (induction loads) spikes. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1