Počet záznamů: 1
Damage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions
- 1.
SYSNO ASEP 0496731 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Damage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions Tvůrce(i) Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Malinský, Petr (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Jagerová, Adéla (UJF-V) ORCID, SAI
Sofer, Z. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Klímová, K. (CZ)
Bottger, R. (DE)
Akhmadaliev, S. (DE)Celkový počet autorů 8 Zdroj.dok. Surface and Interface Analysis. - : Wiley - ISSN 0142-2421
Roč. 50, č. 11 (2018), s. 1099-1105Poč.str. 7 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 17th European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis (ECASIA 2017) Datum konání 24.09.2017 - 29.09.2017 Místo konání Monpellier Země FR - Francie Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova damage accumulation in GaN ; RBS channeling in ion-modified GaN ; structure modification in c-plane and a-plane GaN Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače Obor OECD Nuclear physics CEP EF16_013/0001812 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GA15-01602S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000448889600022 EID SCOPUS 85042605382 DOI 10.1002/sia.6403 Anotace c-plane (0001) and a-plane (11-20) gallium nitride (GaN) epitaxial layers were grown by Metal organic Vapour Phase epitaxy (MOVPE) on sapphire and subsequently implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions using fluences 5 x 10(14) to 5 x 10(15) cm(-2). The shallow Au depth profiling was accomplished by Rutherford backscattering spectrometry. The structural changes during implantation and subsequent annealing were characterised by Rutherford backscattering spectrometry channelling and Raman spectroscopy. The interplay between nuclear and electronic stopping, influencing defect accumulation, was monitored and discussed depending on GaN orientation. Post-implantation annealing induced a structural reorganisation of the GaN structure depending on the ion-implantation fluence, ion energy, and on the crystallographic orientation. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1