Počet záznamů: 1
Erbium Luminescence Centres in Single- and Nano-Crystalline Diamond-Effects of Ion Implantation Fluence and Thermal Annealing
- 1.
SYSNO ASEP 0492476 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Erbium Luminescence Centres in Single- and Nano-Crystalline Diamond-Effects of Ion Implantation Fluence and Thermal Annealing Tvůrce(i) Cajzl, J. (CZ)
Nekvindová, P. (CZ)
Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Malinský, Petr (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Akhetova, B. (CZ)
Bottger, R. (DE)
Prajzler, V. (CZ)Celkový počet autorů 11 Číslo článku 316 Zdroj.dok. Micromachines. - : MDPI
Roč. 9, č. 7 (2018)Poč.str. 14 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova nano-crystalline diamond ; erbium ; ion implantation ; luminescence ; Rutherford Backscattering Spectrometry ; Raman spectroscopy ; thin films Vědní obor RIV JJ - Ostatní materiály Obor OECD Nano-materials (production and properties) Vědní obor RIV – spolupráce Fyzikální ústav - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR LM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000441156000004 EID SCOPUS 85049606274 DOI 10.3390/mi9070316 Anotace We present a fundamental study of the erbium luminescence centres in single- and nano-crystalline (NCD) diamonds. Both diamond forms were doped with Er using ion implantation with the energy of 190 keV at fluences up to 5 x 10(15) ions.cm(-2), followed by annealing at controllable temperature in Ar atmosphere or vacuum to enhance the near infrared photoluminescence. The Rutherford Backscattering Spectrometry showed that Er concentration maximum determined for NCD films is slightly shifted to the depth with respect to the Stopping and Range of Ions in Matter simulation. The number of the displaced atoms per depth slightly increased with the fluence, but in fact the maximum reached the fully disordered target even in the lowest ion fluence used. The post-implantation annealing at 800 degrees C in vacuum had a further beneficial effect on erbium luminescence intensity at around 1.5 mu m, especially for the Er-doped NCD films, which contain a higher amount of grain boundaries than single-crystalline diamond. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2019
Počet záznamů: 1