Počet záznamů: 1  

Determination of temperature dependent parameters of zero-phonon line in photo-luminescence spectrum of silicon-vacancy centre in CVD diamond thin films

  1. 1.
    SYSNO ASEP0487173
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevDetermination of temperature dependent parameters of zero-phonon line in photo-luminescence spectrum of silicon-vacancy centre in CVD diamond thin films
    Tvůrce(i) Dragounová, Kateřina (FZU-D) ORCID
    Potůček, Z. (CZ)
    Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
    Bryknar, Z. (CZ)
    Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.Journal of Electrical Engineering - Elektrotechnický časopis. - : Slovenská technická univerzita v Bratislave - ISSN 1335-3632
    Roč. 68, č. 1 (2017), s. 74-78
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.SK - Slovensko
    Klíč. slovasilicon-vacancy centres ; photoluminescence ; low temperature ; diamond ; CVD
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    Obor OECDCondensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
    CEPGA14-04790S GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000396613900010
    DOI10.1515/jee-2017-0010
    AnotaceIn this work we present a methodological approach to the temperature dependence of photoluminescence (PL) emission spectra of the silicon-vacancy centre in diamond thin films prepared by chemical vapour deposition. The PL spectra were measured in the temperature range of 11 300 K and used to determine the temperature dependence of the zero-phonon-line full-width at half-maximum and of the peak position. Experimental data were fitted by models of lattice contraction, quadratic electron-phonon coupling, homogeneous and inhomogeneous broadening. We found that the shift of peak position and peak broadening reflect polynomial dependence on temperature. Moreover, a proper setting of monochromator slits width is discussed with respect to line profile broadening.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2018
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.