Počet záznamů: 1

Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu

SYSNO ASEP	0481686
Druh ASEP	P - Patent
Zařazení RIV	P - Patent nebo jiný výsledek chráněný podle zvláštních právních předpisů
Název	Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému a zařízení k provádění tohoto způsobu
Překlad názvu	A method of controlling the rate of deposition of thin layers in a vacuum multi-nozzle plasma system and a device for implementing this method
Tvůrce(i)	Olejníček, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Šmíd, Jiří (FZU-D) Hubička, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Adámek, Petr (FZU-D)_{RID, ORCID} Čada, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kment, Štěpán (FZU-D)_{RID, ORCID}
Rok vydání	2017
Využití jiným subj.	A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Lic. popl.	A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
Číslo pat.spisu	306980
Datum udělení	13.09.2017
Vlastník patentu	Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Kód vydavatele patentu	CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
Využití	A - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
Jazyk dok.	cze - čeština
Klíč. slova	hollow cathode ; plasma nozzle ; deposition ; thin films
Vědní obor RIV	BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
Obor OECD	Fluids and plasma physics (including surface physics)
CEP	TF01000084 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	Způsob řízení rychlosti depozice tenkých vrstev ve vakuovém vícetryskovém plazmovém systému využívajícím plazmochemické reakce v aktivní zóně generovaného výboje a tvořeném alespoň jednou řadou plazmatických trysek (4), jejichž pracovní trubice (42) jsou zakončeny dutou katodou (44), jejíž ústí je ustaveno v blízkosti horní plochy nosné soupravy (2) s uloženým substrátem (3), kde podstata řešení spočívá v tom, že při depozici tenké vrstvy na substrát (3) je po samostatném zapálení výbojů v každé plazmové trysce (4) a při řízení jejich parametrů prostřednictvím vnějších zdrojů (6) napětí je teplota každé duté katody (44) bezkontaktně monitorována vlastním pyrometrem (8) a na základě vyhodnocení naměřených hodnot teploty a nastavených parametrů výboje je pomocí řídicí jednotky (9) regulován efektivní proud v každé z plazmatických trysek (4) tak, aby depoziční rychlosti všech dutých katod (44) plazmatických trysek (4) byly shodné. Podstatou vynálezu je rovněž zařízení k provádění způsobu řízení rychlosti depozice.
Překlad anotace	The method of controlling the rate of deposition of thin layers in a vacuum multi-nozzle plasma system using plasmachemical reactions in the active zone of the generated discharge and constituted by at least one set of plasma nozzles (4), whose working tubes (42) are terminated by the hollow cathode (44) whose orifice is established in the vicinity of the upper surface of the support assembly (2) with the deposited substrate (3), wherein the principle of the solution lies in the fact that, during the deposition of the thin layer on the substrate (3), after the individual ignition of the discharges in each of the plasma nozzle (4) and during controlling their parameters by means of the external voltage sources (4), the temperature of each hollow cathode (44) is contactlessly monitored by its own pyrometer (8) and, based on the evaluation of the measured temperature values and the set parameters of the discharge, the effective current in each of the plasma nozzles (4) is controlled by the control unit (9), so that the deposition rates of all the hollow cathodes (44) of the plasma nozzles (4) were identical. A device for implementing the method of controlling the rate of deposition is also the essence of the invention.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2018
Elektronická adresa	https://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10241583&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=

Počet záznamů: 1