Počet záznamů: 1

The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon

SYSNO ASEP	0478395
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	The deposition of germanium nanoparticles on hydrogenated amorphous silicon
Tvůrce(i)	Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Volodin, V.A. (RU) Shklyaev, A.A. (RU) Stuchlíková, The-Ha (FZU-D)_{RID, ORCID} Ledinský, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Čermák, Jan (FZU-D)_{RID, SAI, ORCID} Kupčík, Jaroslav (UCHP-M)_{RID, ORCID, SAI} Fajgar, Radek (UCHP-M)_{RID, ORCID, SAI} Mortet, Vincent (FZU-D)_{RID, ORCID} More Chevalier, Joris (FZU-D)_ORCID Ashcheulov, Petr (FZU-D)_{ORCID, RID} Purkrt, Adam (FZU-D)_RID Remeš, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	13
Zdroj.dok.	NANOCON 2016 8th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. Conference proceedings. - Ostrava : TANGER Ltd., 2017 - ISBN 978-80-87294-71-0
Rozsah stran	s. 133-137
Poč.str.	5 s.
Forma vydání	Tištěná - P
Akce	NANOCON 2016. International Conference on Nanomaterials - Research and Application /8./
Datum konání	19.10.2016 - 21.10.2016
Místo konání	Brno
Země	CZ - Česká republika
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CZ - Česká republika
Klíč. slova	Ge nanoparticles ; a-Si:H ; PECVD ; MBE
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Vědní obor RIV – spolupráce	Ústav chemických procesů Ústav chemických procesů - Fyzikální chemie a teoretická chemie
CEP	GA13-12386S GA ČR - Grantová agentura ČR
	GA13-31783S GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271 ; UCHP-M - RVO:67985858
UT WOS	000410656100022
EID SCOPUS	85017253227
Anotace	We reveal the mechanism of Ge nanoparticles (NPs) formation on the surface of the hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) on ITO and a on boron doped nanocrystalline diamond (BDD). The coating of Ge NPs on a-Si:H was performed by molecular beam epitaxy (MBE) at temperatures up to 450 °C. The Ge NPs were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy (SEM) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The nanocrystalline Ge particles are conglomerates of nanocrystals of size 10-15 nm and quantum dots (QDs) with size below 2 nm embedded in amorphous Ge phase. After coating with Ge NPs the a-Si:H thin films show better adhesion on BDD substrates then on ITO substrates.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2018

Počet záznamů: 1