Počet záznamů: 1
SiPM gain temperature stabilization
- 1.
SYSNO ASEP 0469878 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název SiPM gain temperature stabilization Tvůrce(i) Cvach, Jaroslav (FZU-D) RID, ORCID
Eigen, G. (NO)
Kvasnička, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Polák, Ivo (FZU-D) RID, ORCID
Træet, A. (NO)
Zalieckas, J. (NO)Zdroj.dok. EMN Cancun Program & Abstract Book. - Chengdu : OAHOST, 2016
S. 31-32Poč.str. 2 s. Forma vydání Online - E Akce 2016 EMN summer meeting & Photodetectors meeting Datum konání 05.06.2016 - 09.06.2016 Místo konání Cancún Země MX - Mexiko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CN - Čína Klíč. slova photodectors ; silicon photomultipliers ; gain stabilization Vědní obor RIV BE - Teoretická fyzika CEP LG14033 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace We present gain stabilization studies of SiPMs using a climate chamber for several photodetectors from Hamamatsu and KETEK. We have measured the gain-versus-bias-voltage at fixed temperature and gain-versus-temperature dependence in range 5 – 45°C at fixed bias voltage. The SiPM gain G is extracted from distances between photoelectron peaks in the photoelectron spectrum registered at low intensity LED flashes. From the measurements we extract the slopes ∂G(V,T)/∂T and ∂G(V,T)/∂V from which the function V(T) for stable gain is determined. In range of our measurements this function is approximately linear. To stabilize the gain with temperature we built a bias voltage regulator.
For each SiPM we input the V(T) dependence into this regulator and repeat the measurements. We show that the accuracy of the gain stabilization is better than 1% and meets requirements of large detectors systems.Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1