Počet záznamů: 1  

Vícetryskový PVD depoziční systém

  1. 1.
    SYSNO ASEP0465021
    Druh ASEPL - Prototyp, funkční vzorek
    Zařazení RIVG - Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek)
    Poddruh RIVFunkční vzorek
    NázevVícetryskový PVD depoziční systém
    Překlad názvuMultijet PVD deposition system
    Tvůrce(i) Šmíd, Jiří (FZU-D)
    Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
    Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID
    Rok vydání2016
    Int.kódUHV-4DK/FZU2016
    Technické parametryVýsledek je tvořen UHV systémem čerpaným rotační a turbomolekulární vývěvou a obsahuje 4 lineární plazmové trysky pracující na principu výboje v duté katodě. Systém je průběžně upgradován. Ve spouštěcí konfi-guraci měl následující technické parametry: mezní tlak p0: 1x10-3 Pa, pracovní tlak pw: 0.1 – 100 Pa, maximální napětí na zdroji: Um: 600 V, maximální výbojový proud: Im: 5 A, příčný rozměr substrátu lm: až 20 cm, maximální depoziční rychlost dosažená pro TiO2 vrstvy rm: 20 μm/hod.
    Ekonomické parametryVyvinutý depoziční systém umožňuje vysokorychlostní depozici homogenních oxidových vrstev. Oproti dostupným komerčním magnetronovým systémům dosahuje v DC režimu až desetinásobnou depoziční rychlost.
    Název vlastníkaFyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Na Slovance 2, Praha 8
    IČ vlastníka68378271
    Kat.výsl.dle nákl.A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč
    Využ. jiným subjektemP - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence
    Požad. na licenč. popl.Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek
    Jazyk dok.cze - čeština
    Země vlastníkaCZ - Česká republika
    Klíč. slovahollow cathode discharge ; multi plasma-jet ; thin films ; PVD ; sputtering
    Vědní obor RIVBL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
    CEPTF01000084 GA TA ČR - Technologická agentura České republiky
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    AnotaceFunkční vzorek představuje vysokorychlostní depoziční zařízení určené primárně pro nanášení homogenních oxidových vrstev. Systém využívá několik plazmatických trysek umístěných do jedné řady, které pracují na principu výboje v duté katodě. Vysoké depoziční rychlosti je dosahováno kombinací nereaktivního rozprašování ve vnitřním prostoru duté katody a tepelnou evaporací materiálu z povrchu trysky.
    Překlad anotaceHigh speed deposition system for homogenous sputtering of oxide thin films. The system uses several plasma-nozzles mounted in one line, which work on the principle of hollow cathode discharge. High speed of deposition process is achieved by combination of non-reactive sputtering inside the hollow cathode with thermal evaporation of hollow cathode material.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktEva Pulcmanová, pulcman@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2017