Počet záznamů: 1
Vícetryskový PVD depoziční systém
- 1.
SYSNO ASEP 0465021 Druh ASEP L - Prototyp, funkční vzorek Zařazení RIV G - Technicky realizované výsledky (prototyp, funkční vzorek) Poddruh RIV Funkční vzorek Název Vícetryskový PVD depoziční systém Překlad názvu Multijet PVD deposition system Tvůrce(i) Šmíd, Jiří (FZU-D)
Olejníček, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hubička, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Čada, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAIRok vydání 2016 Int.kód UHV-4DK/FZU2016 Technické parametry Výsledek je tvořen UHV systémem čerpaným rotační a turbomolekulární vývěvou a obsahuje 4 lineární plazmové trysky pracující na principu výboje v duté katodě. Systém je průběžně upgradován. Ve spouštěcí konfi-guraci měl následující technické parametry: mezní tlak p0: 1x10-3 Pa, pracovní tlak pw: 0.1 – 100 Pa, maximální napětí na zdroji: Um: 600 V, maximální výbojový proud: Im: 5 A, příčný rozměr substrátu lm: až 20 cm, maximální depoziční rychlost dosažená pro TiO2 vrstvy rm: 20 μm/hod. Ekonomické parametry Vyvinutý depoziční systém umožňuje vysokorychlostní depozici homogenních oxidových vrstev. Oproti dostupným komerčním magnetronovým systémům dosahuje v DC režimu až desetinásobnou depoziční rychlost. Název vlastníka Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Na Slovance 2, Praha 8 IČ vlastníka 68378271 Kat.výsl.dle nákl. A - Vyčerpaná část nákladů <= 5 mil. Kč Využ. jiným subjektem P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence Požad. na licenč. popl. Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek Jazyk dok. cze - čeština Země vlastníka CZ - Česká republika Klíč. slova hollow cathode discharge ; multi plasma-jet ; thin films ; PVD ; sputtering Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech CEP TF01000084 GA TA ČR - Technologická agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Funkční vzorek představuje vysokorychlostní depoziční zařízení určené primárně pro nanášení homogenních oxidových vrstev. Systém využívá několik plazmatických trysek umístěných do jedné řady, které pracují na principu výboje v duté katodě. Vysoké depoziční rychlosti je dosahováno kombinací nereaktivního rozprašování ve vnitřním prostoru duté katody a tepelnou evaporací materiálu z povrchu trysky. Překlad anotace High speed deposition system for homogenous sputtering of oxide thin films. The system uses several plasma-nozzles mounted in one line, which work on the principle of hollow cathode discharge. High speed of deposition process is achieved by combination of non-reactive sputtering inside the hollow cathode with thermal evaporation of hollow cathode material. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1