Počet záznamů: 1  

Zdroj nízkoteplotního plazmatu s možností kontaktní i bezkontaktní aplikace a způsob výroby sendvičové struktury pro tento zdroj

  1. 1.
    SYSNO ASEP0464519
    Druh ASEPP - Patent
    Zařazení RIVP - Patent nebo jiný výsledek chráněný podle zvláštních právních předpisů
    NázevZdroj nízkoteplotního plazmatu s možností kontaktní i bezkontaktní aplikace a způsob výroby sendvičové struktury pro tento zdroj
    Překlad názvuLow-temperature plasma source with possibility of both contact and contactless application and process for preparing sandwich structure for such a source
    Tvůrce(i) Churpita, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
    Dejneka, Alexandr (FZU-D) RID, ORCID
    Zablotskyy, Vitaliy A. (FZU-D) RID
    Syková, Eva (UEM-P) RID
    Kubinová, Šárka (UEM-P) RID, ORCID
    Rok vydání2016
    Využití jiným subj.A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
    Lic. popl.A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
    Číslo pat.spisu306217
    Datum udělení24.08.2016
    Vlastník patentuFyzikální ústav AV ČR, v.v. i. - Ústav experimentální medicíny AV ČR, v.v. i.
    Kód vydavatele patentuCZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
    VyužitíA - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
    Jazyk dok.cze - čeština
    Klíč. slovaatmospheric ; plasma ; biomedical applications
    Vědní obor RIVBL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
    Vědní obor RIV – spolupráceÚstav experimentální medicíny - Biofyzika
    CEPTA04010449 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271 ; UEM-P - RVO:68378041
    AnotaceZdroj nízkoteplotního plazmatu, zejména pro využití v medicínských bioaplikacích, obsahující zdroj (9) střídavého vysokého napětí a duté izolační těleso (1), do jehož vnitřního prostoru (11) je zaústěn přívod pracovního plynu (GAS) a je v něm umístěna sendvičová struktura obsahující vnitřní budicí elektrodu (5) připojenou na zdroj (9) střídavého vysokého napětí, kde podstata vynálezu spočívá v tom, že sendvičová struktura uložená ve vnitřním prostoru (11) sestává ze vzájemně nad sebou uložených vrstev, nevodivé horní porézní membrány (4), vnitřní budicí elektrody (5), nevodivé spodní porézní membrány (6) a vnější zemnicí elektrody (7), přičemž nosná část sendvičové struktury obsahující horní porézní membránu (4), vnitřní budicí elektrodu (5) a spodní porézní membránu (6) je vytvořena jako jeden pevný celek.
    Překlad anotaceThe present invention relates to a low-temperature plasma source, intended particularly for use in medicinal bioapplications, comprising a high-voltage source (9) of alternating current and a hollow insulating body (1), in the internal space (11) of which, there is a processing gas inlet (GAS) and in which, there is disposed a sandwich structure comprising an internal driving electrode (5) connected to the high-voltage source (9) of alternating current, wherein the invention is characterized in that the sandwich structure disposed in the internal space (11) consists of layers of layers arranged one above the other of a non-conducting upper porous membrane (4), the internal driving electrode (5), a non-conducting lower porous membrane (6) and an external ground electrode (7), whereby the bearing portion of said sandwich structure comprising the upper porous membrane (4), the internal driving electrode (5) and the lower porous membrane (6) is made integral.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2017
    Elektronická adresahttps://isdv.upv.cz/webapp/webapp.pts.det?xprim=10150276&lan=cs&s_majs=&s_puvo=&s_naze=&s_anot=
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.