Počet záznamů: 1
GaN:Co epitaxial layers grown by MOVPE
- 1.
SYSNO ASEP 0456264 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název GaN:Co epitaxial layers grown by MOVPE Tvůrce(i) Šimek, P. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Klímová, K. (CZ)
Mikulics, M. (DE)
Maryško, Miroslav (FZU-D) RID
Veselý, M. (CZ)
Jurek, Karel (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Sofer, Z. (CZ)Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248
Roč. 44, Mar (2015), 62-68Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova doping ; metalorganic vapor phase epitaxy ; cobalt ; gallium compounds ; nitrides ; magnetic materials spintronics Vědní obor RIV CA - Anorganická chemie CEP GA13-20507S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000349602900012 EID SCOPUS 84922496584 DOI 10.1016/j.jcrysgro.2014.10.031 Anotace We present a growth of GaN layers doped by cobalt using low pressure metalorganic vapor phase epitaxy on c-plane sapphire substrates.The in situ doping of GaN by Co was performed by the decomposition of bis(cyclopentadienyl)cobalt precursor.Three parameters,the temperature and pressure of the deposition and the Ga/Co ratio in the gas phase,influencing cobalt concentration were investigated.The obtained results were confronted with the thermodynamic predictions of Co solubility within GaN lattice and electronic structure calculations of GaN:Co.ThemagneticpropertiesofGaN:Co thin films were investigated using superconducting quantum interference device magnetometer.In addition, the layers were characterized by Raman and photoluminescence spectroscopy and atomic force microscopy. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1