Počet záznamů: 1
On the technological aspects of doped ZnO. Diamond heterojunction preparation and analysis
- 1.
SYSNO ASEP 0449863 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název On the technological aspects of doped ZnO. Diamond heterojunction preparation and analysis Tvůrce(i) Marton, M. (SK)
Mikolášek, M. (SK)
Bruncko, J. (SK)
Novotný, I. (SK)
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Kováčová, S. (SK)
Vojs, M. (SK)Zdroj.dok. Nanosvet s vákuom. Nanoworld with vacuum. - Bratislava : Slovenská vákuová spoločnosť, 2015 / Michalka M. ; Vincze A. ; Veselý M. - ISBN 978-80-971179-6-2 Rozsah stran s. 20-24 Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce Škola vákuovej techniky /18./ Datum konání 07.10.2015-11.10.2015 Místo konání Štrbské Pleso Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova ZnO ; diamond ; heterojunction ; electrical properties Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR 7AMB14SK024 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace HFCVD and sputtering deposition techniques were used for preparation of rectifying p-n junction from ZnO (n) and BDD (p) layers. The properties of individual layers were optimized in order to obtain low doping level allowing the junction to operate as a diode. Adhesion and other properties of the diamond layers were optimized through the deposition conditions and use of an interlayer as well. Rectifying ratio of 55 was reached for the first prepared structures; nevertheless the technological procedures are perspective and capable of further optimization. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1