Počet záznamů: 1
Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates
- 1.
SYSNO ASEP 0448214 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates Tvůrce(i) Mortet, Vincent (FZU-D) RID, ORCID
Pernot, J. (FR)
Jomard, F. (FR)
Soltani, A. (FR)
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Barjon, J. (FR)
D´Haen, J. (BE)
Haenen, K. (BE)Zdroj.dok. Diamond and Related Materials. - : Elsevier - ISSN 0925-9635
Roč. 35, Mar (2015), s. 29-34Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova diamond ; boron ; doping ; crystalline orientation Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA13-31783S GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000352046700005 EID SCOPUS 84921984756 DOI 10.1016/j.diamond.2015.01.006 Anotace Boron doped diamond layers have been grown on (110) single crystal diamond substrates with B/C ratios up to 20 ppmin the gas phase. The surface of the diamond layers observed by scanning electronmicroscopy consists of(100) and (113)micro-facets. Fourier Transform Photocurrent Spectroscopy indicates substitutional boron incorporation. Electrical properties were measured using Hall effect from 150 to 1000 K. Secondary ion mass spectrometry analyses are consistent with the high incorporation of boron determined by electrical measurements. Amaximummobility of 528 cm2 V−1 s−1 wasmeasured at roomtemperature for a charge carrier concentration of 1.1 1013 cm−3. Finally, properties of boron doped (110) diamond layers are compared with layers on (100) and (111) orientated substrates. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1