Počet záznamů: 1
IR Laser CVD OF Nanodisperse Ge-Si-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of GeH4/SiH4/SnH4 Mixtures
- 1.
SYSNO ASEP 0447032 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název IR Laser CVD OF Nanodisperse Ge-Si-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of GeH4/SiH4/SnH4 Mixtures Tvůrce(i) Křenek, Tomáš (UCHP-M)
Bezdička, Petr (UACH-T) SAI, RID, ORCID
Murafa, Nataliya (UACH-T) RID, SAI
Šubrt, Jan (UACH-T) SAI, RID
Pola, Josef (UCHP-M) RID, ORCID, SAIISBN 978-80-87294-53-6 Zdroj.dok. NANOCON 2014, 6th International Conference. - Ostrava : Tanger Ltd, 2015 - ISBN 978-80-87294-53-6 Rozsah stran s. 268-273 Poč.str. 6 s. Forma vydání Tištěná - P Akce NANOCON International Conference /6./ Datum konání 05.11.2014-07.11.2014 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova IR laser ; thermal decomposition ; Ge/Si/Sn nanoalloys Vědní obor RIV CA - Anorganická chemie Vědní obor RIV – spolupráce Ústav anorganické chemie Institucionální podpora UCHP-M - RVO:67985858 ; UACH-T - RVO:61388980 UT WOS 000350636300045 Anotace Nowadays, great attention is devoted to Ge-Si-Sn ternary system, because Si1-x-yGexSny provides the potential of band gap engineering and tuning of the optical properties. IR laser irradiation of equimolar gaseous GeH4 + SiH4 + SnH4 + Ar mixture results in simultaneous decomposition of all three compounds and it allows deposition of nanostructured solid film. Analysis of the films by FTIR and Raman spectroscopy, X-ray diffraction analysis and electron microscopy revealed crystalline nanobodies of pure beta-Sn and crystalline nanoobjects of Ge1-x-ySixSny embedded in an amorphous metastable Ge-Si-Sn alloy. This process allows co-decomposition of all silicon, germanium and tin hydrides which is caused by combination of infrared multiple photon dissociation of absorbing silane and currently proceeding LIDB. This is followed by intermixing/clustering of extruded metal atoms in the gas phase. Pracoviště Ústav chemických procesů Kontakt Eva Jirsová, jirsova@icpf.cas.cz, Tel.: 220 390 227 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1