Počet záznamů: 1
Single Layer Molybdenum Disulfide under Direct Out-of-Plane Compression: Low-Stress Band-Gap Engineering
- 1.
SYSNO ASEP 0443984 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Single Layer Molybdenum Disulfide under Direct Out-of-Plane Compression: Low-Stress Band-Gap Engineering Tvůrce(i) Álvarez, M. P. (ES)
del Corro, Elena (UFCH-W)
Morales-García, A. (CZ)
Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCID
Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
Frank, Otakar (UFCH-W) RID, ORCIDZdroj.dok. Nano Letters. - : American Chemical Society - ISSN 1530-6984
Roč. 15, č. 5 (2015), s. 3139-3146Poč.str. 8 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova Molybdenum disulfide ; band gap engineering ; out-of-plane compression Vědní obor RIV CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie CEP GA14-15357S GA ČR - Grantová agentura ČR LL1301 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora UFCH-W - RVO:61388955 UT WOS 000354906000055 EID SCOPUS 84929380204 DOI 10.1021/acs.nanolett.5b00229 Anotace Tuning the electronic structure of 2D materials is a very powerful asset toward tailoring their properties to suit the demands of future applications in optoelectronics. Strain engineering is one of the most promising methods in this regard. We demonstrate that even very small out-of-plane axial compression readily modifies the electronic structure of monolayer MoS2. As we show through in situ resonant and nonresonant Raman spectroscopy and photoluminescence measurements combined with theoretical calculations, the transition from direct to indirect band gap semiconductor takes place at ~0.5 GPa, and the transition to a semimetal occurs at stress smaller than 3 GPa. Pracoviště Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského Kontakt Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1