Počet záznamů: 1
Si-related color centers in nanocrystalline diamond thin films
- 1.
SYSNO ASEP 0439267 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Si-related color centers in nanocrystalline diamond thin films Tvůrce(i) Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Holovský, Jakub (FZU-D) RID, ORCID
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Müller, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972
Roč. 251, č. 12 (2014), s. 2603-2606Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova chemical vapor deposition ; color center ; diamond ; photoluminescence ; plasma Vědní obor RIV BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech CEP TA01011740 GA TA ČR - Technologická agentura ČR GA14-04790S GA ČR - Grantová agentura ČR LH12186 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000345830900047 EID SCOPUS 84915752145 DOI 10.1002/pssb.201451177 Anotace The successful growth of nanocrystalline diamond (NCD) thin films with optically active Si-related color centers was realized on glass and molybdenum substrates by the microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) with focused or linear antenna plasma reactors. Diamond coatings were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and photoluminescence (PL) spectroscopy. Increased of a-Si interlayer thickness resulted in reduction of stress in NCD film and increased renucleation ofNCD films. The PL spectra showed that the Si-color center is only observed in the focused plasma system. The influence of the substrate material as well as the a-Si interlayer on the density of Si-related color center was not confirmed in our setup. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1