Počet záznamů: 1

Growth of adlayers studied by fluorination of isotopically engineered graphene

SYSNO ASEP	0438494
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Growth of adlayers studied by fluorination of isotopically engineered graphene
Tvůrce(i)	Ek Weis, Johan (UFCH-W)_RID da Costa, Sara (UFCH-W)_RID Frank, Otakar (UFCH-W)_{RID, ORCID} Kalbáč, Martin (UFCH-W)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972 Roč. 251, č. 12 (2014), s. 2505-2508
Poč.str.	4 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	DE - Německo
Klíč. slova	chemical vapor deposition ; graphene ; isotope labeling
Vědní obor RIV	CF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
CEP	LH13022 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	UFCH-W - RVO:61388955
UT WOS	000345830900029
EID SCOPUS	84906651656
DOI	10.1002/pssb.201451169
Anotace	Chemical vapor deposition on copper is currently one of the most prospective preparation techniques of large area graphene films. There are still many undisclosed questions regarding the growth process and its conditions. The adlayer formation belongs to those, not only because of the need of uniform monolayers, but also due to the increasing demand for high-coverage bilayers. The combination of Raman spectroscopy, isotopic labeling and functionalization using fluorine can provide the necessary insight into the CVD growth process. The disorder degree caused by the fluorination is unambiguously distinguished by Raman mapping and evaluation of more than 1000 spectra for the individual layers, suggesting the shielding of the C-13 adlayer underneath the continuous C-12 top layer.
Pracoviště	Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského
Kontakt	Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196
Rok sběru	2015

Počet záznamů: 1