Počet záznamů: 1
High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor
- 1.
SYSNO ASEP 0437407 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor Tvůrce(i) Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)
Piksová, K. (CZ)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. 2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (CSW/IPRM 2011). - Berlin : IEEE, 2011 - ISSN 1092-8669 - ISBN 978-1-4577-1753-6 Rozsah stran s. 68-71 Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce 2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (CSW/IPRM 2011) Datum konání 22.05.2011-26.05.2011 Místo konání Berlin Země DE - Německo Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova High sensitivity ; Electrophoretic deposition techniques ; Hydrogen sensor Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) EID SCOPUS 84858227567 Anotace Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pd(Pt)lInP Schottky diodes fabricated by electrophoretic deposition technique were investigated. The proposed hydrogen sensors showed relatively high sensitivity response of 10 6 to 1000 ppm H 2 in N 2. The barrier height reduction due to hydrogen exposure was 0.35 eV and 0.37 eV for Pd and Pt based Schottky diodes respectively. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. Pt based Schottky diodes show better sensitivity and shorter recovery times compared to Pd ones Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1