Počet záznamů: 1
AlGaN/GaN micromembranes with diamond coating for high electron mobility transistors operated at high temperatures
- 1.
SYSNO ASEP 0436952 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název AlGaN/GaN micromembranes with diamond coating for high electron mobility transistors operated at high temperatures Tvůrce(i) Vanko, G. (SK)
Vojs, M. (SK)
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Choleva, P. (AT)
Marton, M. (SK)
Rýger, I. (SK)
Dzuba, J. (SK)
Lalinský, T. (SK)Zdroj.dok. ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - Bratislava : Slovak University of Technology, 2014 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinsky E. - ISBN 978-1-4799-5474-2 Rozsah stran s. 263-266 Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /10./ Datum konání 20.10.2014-22.10.2014 Místo konání Smolenice Země SK - Slovensko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova GaN membranes ; diamond films ; thermal management ; MWCVD ; SEM Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GP14-16549P GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace In this work, we present an application of NCD layers as backside cooling for AlGaN/GaN heterostructures grown on Si substrates. In this case, diamond nucleation is the most limiting technological step due to low mechanical stability of GaN membranes. We observed that standard nucleation techniques (ultrasonic seeding or bias enhanced nucleation) caused cracking of the membranes or not appropriate nucleation efficiency in the Z-depth of structures. Therefore we implemented PVA polymer consisting of diamond powder as seeding composite which resulted in a successful growth of diamond thin film. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1