Počet záznamů: 1
Electrical characterization of diamond films deposited in nitrogen and oxygen containing gas mixture
- 1.
SYSNO ASEP 0436880 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Electrical characterization of diamond films deposited in nitrogen and oxygen containing gas mixture Tvůrce(i) Mikolášek, M. (SK)
Vojs, M. (SK)
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Marton, M. (SK)
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Harmatha, L. (SK)Zdroj.dok. ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. - Bratislava : Slovak University of Technology, 2014 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinsky E. - ISBN 978-1-4799-5474-2 Rozsah stran s. 37-40 Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems /10./ Datum konání 20.10.2014-22.10.2014 Místo konání Smolenice Země SK - Slovensko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova diamond films ; nitrogen doping ; Raman spectroscopy ; electrical measurements Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace The paper deals with electrical characterization of nanocrystalline diamond / ptype crystalline silicon heterostructures. The diamond films were prepared with and without nitrogen addition into CH4/CO2/H2 gas mixture during the deposition. The introduced nitrogen promoted amorphization instead of creating sp2 domains. The structure with nitrogen exhibits shallow donor state with energy of 0.28 eV. It is suggested that origin of such a state is related to nitrogen atoms trapped at the vacancies. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1