Počet záznamů: 1

Direct bandgap silicon: tensile-strained silicon nanocrystals

SYSNO ASEP	0436758
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Direct bandgap silicon: tensile-strained silicon nanocrystals
Tvůrce(i)	Kůsová, Kateřina (FZU-D)_{RID, ORCID} Hapala, Prokop (FZU-D)_{RID, ORCID} Valenta, J. (CZ) Jelínek, Pavel (FZU-D)_{RID, ORCID} Cibulka, Ondřej (FZU-D)_RID Ondič, Lukáš (FZU-D)_{RID, ORCID} Pelant, Ivan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Advanced Materials Interfaces. - : Wiley - ISSN 2196-7350 Roč. 1, č. 2 (2014), "1300042-1"-"1300042-9"
Poč.str.	9 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	DE - Německo
Klíč. slova	silicon nanocrystals ; badstructure ; light emission ; direct bandgap ; surface capping
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR
	GPP204/12/P235 GA ČR - Grantová agentura ČR
	GAP204/10/0952 GA ČR - Grantová agentura ČR
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
DOI	10.1002/admi.201300042
Anotace	In this article, we show that silicon nanocrystals can be transformed into a material with fundamental direct bandgap via a concerted action of quantum confinement and tensile strain. We document this transformation by DFT calculations mapping the E(k) band-structure of Si nanocrystals. The experimental proofs are then given firstly by a 10 000× increase in the photon emission rate of strained silicon nanocrystals together with their altered absorbance spectra, both of which point to direct dipole-allowed transitions, secondly by single nanocrystal spectroscopy, confirming reduced phonon energies and thus the presence of tensile strain, and lastly by photoluminescence studies under external hydrostatic pressure.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2015

Počet záznamů: 1