Počet záznamů: 1

Low temperature delayed recombination decay in complex oxide scintillating crystals

SYSNO ASEP	0435862
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Low temperature delayed recombination decay in complex oxide scintillating crystals
Tvůrce(i)	Mihóková, Eva (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Jarý, Vítězslav (FZU-D)_{RID, ORCID} Schulman, L. S. (US) Nikl, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	IEEE Transactions on Nuclear Science. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers - ISSN 0018-9499 Roč. 61, č. 1 (2014), 257-261
Poč.str.	5 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	luminescence ; oxides ; scintillator ; tunneling
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	LH12150 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	LH12185 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	000334926500005
EID SCOPUS	84894476234
DOI	10.1109/TNS.2013.2273974
Anotace	We study the low temperature contribution to delayed recombination decay in several complex oxide scintillating crystals. We experimentally test the previously suggested hypothesis that the losses of fast scintillation light even at the lowest temperatures can be due to quantum effects. The results obtained for several material systems confirm that quantum tunneling between the luminescence center and a nearby defect is a good candidate for the origin of the observed phenomena.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2015

Počet záznamů: 1