Počet záznamů: 1  

Mask-free surface structuring of micro- and nanocrystalline diamond films by reactive ion plasma etching

  1. 1.
    SYSNO ASEP0432632
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevMask-free surface structuring of micro- and nanocrystalline diamond films by reactive ion plasma etching
    Tvůrce(i) Domonkos, Mária (FZU-D) RID
    Ižák, Tibor (FZU-D) RID
    Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
    Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
    Hruška, Karel (FZU-D) RID, ORCID
    Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Zdroj.dok.Advanced Science, Engineering and Medicine - ISSN 2164-6627
    Roč. 6, č. 7 (2014), s. 780-784
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovamicro- and nanocrystalline diamond ; capacitively coupled plasma ; reactive ion etching ; nanostructuring ; scanning electron microscopy
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGAP108/12/0910 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GAP108/12/0996 GA ČR - Grantová agentura ČR
    FR-TI2/736 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    DOI10.1166/asem.2014.1573
    AnotaceIn this technologically oriented study, the mask-free surface structuring of micro- and nanocrystalline diamond thin films is presented. The structuring of diamond films was performed by the reactive ion plasma etching in capacitively coupled radiofrequency plasma using different plasma chemistries (i.e. gas mixtures: O2, CF4, SF6 and Ar). We found that employing only oxygen plasma results in the formation of diamond nanowhiskers. Adding a small amount of CF4 makes the surface flatter. Argon containing gas mixture leads to smooth diamond surface without any whiskers. The etching mechanism is discussed with respect to the primary diamond morphology (micro- vs. nano-crystalline) and the used gas mixture.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2015
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.