Počet záznamů: 1
Study of silicon nanostructures by microscopic methods
- 1.
SYSNO ASEP 0432079 Druh ASEP D - Dizertace Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Název Study of silicon nanostructures by microscopic methods Tvůrce(i) Hývl, Matěj (FZU-D) ORCID Vyd. údaje Praha: ČVUT, 2014 Poč.str. 72 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova silicon nanostructures ; AFM ; Raman intensity mapping ; nanoindentation ; radial junctions ; Si NWs ; LPC polycrystalline silicon thin films Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP FR-TI2/736 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu GA13-12386S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GB14-37427G GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Silicon-based nanostructures belong among the most important structures for electronics and photovoltaics. In our work, we focus on description and studies of two types silicon nanostructures, primarily designed for the use as photovoltaic cells. Using microscopic methods such as atomic force microscopy (AFM) and Raman spectroscopy, we examine the electrical properties of radial junctions based on silicon nanowires and thin polycrystalline silicon films created by a liquid phase crystallization. With the help of conductive AFM and Kelvin probe force microscopy, we investigate mainly the electronic properties of grain boundaries in thin silicon films and individual radial junctions based on Si nanowires. We also examine the possibilities of nanoindentation technique for marking the sample in order to be able to characterize the sample with different methods on the same place, such as Raman intensity maps or confocal microscopy and AFM measurements. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1