Počet záznamů: 1

Měření záchytu světla pomocí Ramanovy spektroskopie v tenkých vrstvách křemíku

SYSNO ASEP	0427287
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	Záznam nebyl označen do RIV
Zařazení RIV	Není vybrán druh dokumentu
Název	Měření záchytu světla pomocí Ramanovy spektroskopie v tenkých vrstvách křemíku
Tvůrce(i)	Ledinský, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Ganzerová, Kristína (FZU-D)_RID Fejfar, Antonín (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kočka, Jan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Sborník 8. české fotovoltaické konference. - Rožnov pod Radhoštěm : Czech RE Agency, o.p.s, 2013
Poč.str.	1 s.
Forma vydání	Nosič - C
Akce	Česká fotovoltaická konference /8./
Datum konání	14.05.2013-15.05.2013
Místo konání	Brno
Země	CZ - Česká republika
Typ akce	CST
Jazyk dok.	cze - čeština
Země vyd.	CZ - Česká republika
Klíč. slova	Raman ; microcrystalline silicon, ; atomic force microscopy
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	FR-TI2/736 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu
	GA13-25747S GA ČR - Grantová agentura ČR
	GA13-12386S GA ČR - Grantová agentura ČR
	LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	Intenzita Ramanova pásu je přímo úměrná interakční dráze fotonu. Tedy intenzita pásu se zvýší, je-li dráha fotonu ve vrstvě prodloužena. Tento efekt lze pozorovat pouze pro fotony z blízké infračervené oblasti, proto jsme pro buzení Ramanova spektra použili laser o vlnové délce 785 nm. Zásadní výhodou je i fakt, že rozptýlený foton v sobě nese informaci, v kterém materiálu interakce proběhla. Můžeme proto selektivně měřit dráhu fotonu v amorfní/ mikrokrystalické části článku.
Překlad anotace	The absolute intensity of Raman spectra excited by 785 nm laser is strongly affected by scattering in the rough substrate surface. This effect is caused by rough substrate, where photons are scattered under wide angles, then reflected in layer, resulting in extended path in absorbing material, see Figure 1. Mean photon path length in sample can be even several times increased by light trapping in the layer. As the probability of Raman interaction is directly proportional to the mean photon paths in the layer, this path extension is directly proportional to Raman intensity. Therefore, Raman spectroscopy measured at 785 nm excitation wavelength may be used to determine light trapping in µc-Si layer.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2015

Počet záznamů: 1