Počet záznamů: 1
Žíhání polykrystalických tenkovrstvých křemíkových solárních článků ve vodní páře za sníženého tlaku
- 1.
SYSNO ASEP 0425201 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Žíhání polykrystalických tenkovrstvých křemíkových solárních článků ve vodní páře za sníženého tlaku Překlad názvu Annealing of polycrystalline thin film silicon solar cells in water vapour at pressures below atmospheric pressure Tvůrce(i) Pikna, Peter (FZU-D) RID
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Píč, Vlastimil (FZU-D)
Müller, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kočka, Jan (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. Sborník 8. české fotovoltaické konference. - Rožnov pod Radhoštěm : Czech RE Agency, o.p.s, 2013 Poč.str. 2 s. Akce Česká fotovoltaická konference /8./ Datum konání 14.05.2013-15.05.2013 Místo konání Brno Země CZ - Česká republika Typ akce CST Jazyk dok. cze - čeština Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova passivation ; water vapour ; polycrystalline thin film silicon ; multicrystalline silicon ; Suns-Voc Vědní obor RIV JE - Nejaderná energetika, spotřeba a využití energie CEP FR-TI2/736 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Tenkovrstvé polykrystalické křemíkové (poly-Si) solární články byly žíhány ve vodní páře za tlaku nižšího, než je atmosférický. Vzorek byl kontaktován měřícími hroty přímo v tlakové nádobě. Suns-Voc metodou a synchronním detektorem byl sledován účinek vodní páry na článek v průběhu celého pasivačního procesu (in-situ). Teplota vzorku byla konstantní v průběhu celého procesu, od 55°C do 110°C, čemuž odpovídá nižší Voc, než za pokojové teploty. Nicméně, napěťová odezva solárního článku na měnící se intenzitu světla při měření byla dobře pozorovatelná. Bylo provedeno srovnání teplotní závislosti Voc multikrystalického a polykrystalického křemíkového solárního článku. Ve výše zmíněném teplotním intervalu nebylo zatím pozorováno výraznější zlepšení parametrů solárních článků účinkem vodní páry. Překlad anotace Thin film polycrystalline silicon (poly-Si) solar cells were annealed in water vapour at pressures below atmospheric pressure. PN junction of the sample was contacted by measuring probes directly in a pressure chamber. Suns-Voc method and a lock-in detector were used to monitor an effect of water vapour to the solar cell during whole passivation process (in-situ). Temperature of the sample was constant during the procedure, from 55°C to 110°C, what corresponds with open-circuit voltage lower than at room temperature. Nevertheless, voltage response of the solar cell to the light flash used during Suns-Voc measurement was good observable. Comparison of temperature dependence for multicrystalline wafer-based and polycrystalline thin film solar cells was performed. No significant improvement of thin film poly-Si solar cell parameters by annealing in water vapour was observed up to now. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2014
Počet záznamů: 1