Počet záznamů: 1

Light trapping in thin film silicon solar cells by Raman spectroscopy

SYSNO ASEP	0424580
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	Záznam nebyl označen do RIV
Zařazení RIV	Není vybrán druh dokumentu
Název	Light trapping in thin film silicon solar cells by Raman spectroscopy
Tvůrce(i)	Ganzerová, Kristína (FZU-D)_RID Ledinský, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Fejfar, Antonín (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kočka, Jan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	2nd International Education Forum on Enviroment and Energy Science - Abstracts. - Tokyo : ACEEES, Tokyo Institute of Technology, 2013 S. 1-2
Poč.str.	2 s.
Akce	International Education Forum on Enviroment and Energy Science /2./
Datum konání	13.12.2013-17.12.2013
Místo konání	Los Angeles
Země	US - Spojené státy americké
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	JP - Japonsko
Klíč. slova	Raman spectroscopy ; thin film
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	FR-TI2/736 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu
	LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	In article [3] was shown that the absolute intensity of Raman spectra excited by 785 nm laser is strongly affected by scattering in the rough substrate surface. This effect is caused by rough substrate, where photons are scattered under wide angles, then reflected in layer, resulting in extended path in absorbing material, see Figure 1. Mean photon path length in sample can be even several times increased by light trapping in the layer. As the probability of Raman interaction is directly proportional to the mean photon paths in the layer, this path extension is directly proportional to Raman intensity. Therefore, Raman spectroscopy measured at 785 nm excitation wavelength may be used to determine light trapping in µc-Si layer.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2014

Počet záznamů: 1