Počet záznamů: 1

Perspectives and challenges in "Diamond-on-GaN" technology

SYSNO ASEP	0424372
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Perspectives and challenges in "Diamond-on-GaN" technology
Tvůrce(i)	Ižák, Tibor (FZU-D)_RID Jirásek, Vít (FZU-D)_RID Vanko, G. (SK) Babchenko, Oleg (FZU-D)_{RID, ORCID} Varga, Marián (FZU-D)_{RID, ORCID} Kromka, Alexander (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Perspektívne vákuové metódy a technológie (Perspective vacuum methods and technologies). - Bratislava : Slovenská vákuová spoločnosť, 2013 / Vojs M. ; Veselý M. ; Vincze A. - ISBN 978-80-971179-2-4
Rozsah stran	s. 37-41
Poč.str.	5 s.
Forma vydání	Tištěná - P
Akce	School of Vacuum Technology /16./ (Perspektívne vákuové metódy a technológie. Perspective vacuum methods and technologies)
Datum konání	10.10.2013-13.10.2013
Místo konání	Štrbské Pleso
Země	SK - Slovensko
Typ akce	EUR
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	SK - Slovensko
Klíč. slova	diamond films ; HEMT transistors ; GaN ; high power devices
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR
	FR-TI2/736 GA MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	This article deals with growth of diamond thin films on GaN substrates. First, Diamond-on-GaN structures are pointed out as a promising electronic material with variety of applications. From the practical point of view, diamond thin films are shown as an attractive solution to the limited use of monocrystalline diamond substrates. For this purpose, some technological requirements on the diamond thin film growth on GaN substrates are stressed too; i.e. the topics as thermally - induced stresses, aggressive process conditions or growth of diamond films, demand on the low temperature diamond deposit ion, selective area deposition, spontaneous nucleation of diamond, diffusion of carbon atoms, etc. The experimental part of our study focuses on the direct growth of polycrystalline diamond films on AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) related to aforementioned technological challenges.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2014

Počet záznamů: 1