Počet záznamů: 1

GaN surface polarity determination by photoelectron diffraction

SYSNO ASEP	0420859
Druh ASEP	A - Abstrakt
Zařazení RIV	Záznam nebyl označen do RIV
Zařazení RIV	Není vybrán druh dokumentu
Název	GaN surface polarity determination by photoelectron diffraction
Tvůrce(i)	Romanyuk, Olexandr (FZU-D)_{RID, ORCID} Jiříček, Petr (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Paskova, T. (US) Bartoš, Igor (FZU-D)_{RID, ORCID}
Zdroj.dok.	International Vacuum Congress /19./ Abstracts. - Paris : IUVSTA, 2013 S. 68-69
Poč.str.	2 s.
Akce	International Vacuum Congress /19./
Datum konání	09.09.2013-13.09.2013
Místo konání	Paris
Země	FR - Francie
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	FR - Francie
Klíč. slova	GaN ; nitride ; semipolar ; photoelectron
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	A nondestructive approach, utilizing PED intensity, is proposed for polarity determination of the polar GaN(0001) and GaN(000-1) surfaces.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2014

Počet záznamů: 1