Počet záznamů: 1
Large area growth of functional and electronic-grade diamond thin films - today's reality
- 1.
SYSNO ASEP 0399675 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Large area growth of functional and electronic-grade diamond thin films - today's reality Tvůrce(i) Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
Ižák, Tibor (FZU-D) RID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Potocký, Štěpán (FZU-D) RID, ORCID
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Progresívne materiály a vákuum ( Progressive materials and vacuum). - Bratislava : Slovenská vakuová spolocnosť, 2012 / Varga M. ; Veselý M. ; Vincze A. - ISBN 978-80-971179-0-0 Rozsah stran s. 11-14 Poč.str. 4 s. Forma vydání Tištěná - P Akce School of Vacuum Technology /15./ ( Progressive materials and vacuum) Datum konání 08.11.2012-11.11.2012 Místo konání Štrbské pleso Země SK - Slovensko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. SK - Slovensko Klíč. slova diamond thin films ; large area deposition ; linear plasma ; pressure Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GAP108/11/0794 GA ČR - Grantová agentura ČR GAP108/12/0910 GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 Anotace Diamond thin films were deposited in the linear antenna microwave plasma system. The micro- or nano-sized character of grown crystals was controlled by total gas pressure and CO2 content in the hydrogen rich gas mixture. Both these process parameters were shown as principal factors shifting the diamond growth either into re-nucleation or to crystal-enlargement mode. Thus the detailed study on total gas pressure influence onto growth kinetics and gas chemistry is presented. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2014
Počet záznamů: 1