Počet záznamů: 1
Performance of Geant4 in simulating semiconductor particle detector response in the energy range below 1 MeV
- 1.
SYSNO ASEP 0397828 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Performance of Geant4 in simulating semiconductor particle detector response in the energy range below 1 MeV Tvůrce(i) Soti, G. (BE)
Wauters, F. (BE)
Breitenfeldt, M. (BE)
Finlay, P. (BE)
Kraev, I. S. (BE)
Knecht, A. (BE)
Porobic, T. (BE)
Zákoucký, Dalibor (UJF-V) RID, SAI, ORCID
Severijns, N. (BE)Celkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002
Roč. 728, NOV (2013), s. 11-22Poč.str. 12 s. Forma vydání Online - E Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova Geant4 ; PIPS detectors ; HPGe particle detectors ; electron backscattering Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače CEP LA08015 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000324386600003 DOI 10.1016/j.nima.2013.06.047 Anotace Geant4 simulations play a crucial role in the analysis and interpretation of experiments providing low energy precision tests of the Standard Model. This paper focuses on the accuracy of the description of the electron processes in the energy range between 100 and 1000 keV. The effect of the different simulation parameters and multiple scattering models on the backscattering coefficients is investigated. Simulations of the response of HPGe and passivated implanted planar Si detectors to p particles are compared to experimental results. An overall good agreement is found between Geant4 simulations and experimental data. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2014
Počet záznamů: 1