Počet záznamů: 1

Systém pro měření toků neutrálních a ionizovaných depozičních částic dopadajících na substrát při růstu tenkých vrstev

SYSNO ASEP	0396132
Druh ASEP	P1 - Užitný vzor, průmyslový vzor
Zařazení RIV	F - Výsledky s právní ochranou (užitný vzor, průmyslový vzor)
Poddruh RIV	Užitný vzor
Název	Systém pro měření toků neutrálních a ionizovaných depozičních částic dopadajících na substrát při růstu tenkých vrstev
Překlad názvu	System for measurement of ion and neutral particles flux deposited onto substrate during thin film deposition process
Tvůrce(i)	Hubička, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Čada, Martin (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Kubart, T. (CZ) Adámek, Petr (FZU-D)_{RID, ORCID} Olejníček, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Kment, Štěpán (FZU-D)_{RID, ORCID}
Rok vydání	2013
Vlastník vzoru	Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i
Sídlo	Praha
Datum udělení vzoru	16.09.2013
Číslo vzoru	25867
Lic. popl.	A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek
Využití	A - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem
Využití jiným subjektem	A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Kód vydavatele patentu	CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
Jazyk dok.	cze - čeština
Klíč. slova	ion flux ; neutral particles ; magnetic field ; deposition rate
Vědní obor RIV	BL - Fyzika plazmatu a výboje v plynech
CEP	TA01011740 GA TA ČR - Technologická agentura ČR
	LH12043 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
Anotace	Technické řešení měřiče ionizovaných a neutrálních depozičních částic a jejich vzájemného poměru lze použít při monitorování vlastností a parametrů procesu nanášení tenkých vrstev pomocí plazmochemických metod PECVD a fyzikálních plazmových depozičních metod PVD. Je známo, že velikost ionizace depozičních částic má velký vliv na kvalitu a fyzikální vlastnosti deponovaných vrstev.
Překlad anotace	Technical solutions of measurement device for ionized and neutral particles and their ratio can be used to monitor the properties and process parameters during thin films deposition by means of PECVD and plasma PVD methods. It is known that the magnitude of the ionization fraction of deposited particles has a large influence on the quality and physical properties of the deposited films.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2014
Elektronická adresa	http://spisy.upv.cz/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0025/uv025867.pdf

Počet záznamů: 1