Počet záznamů: 1
Schottky barriers based on metal nanoparticles deposited on InP epitaxial layers
- 1.
SYSNO ASEP 0395141 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Schottky barriers based on metal nanoparticles deposited on InP epitaxial layers Tvůrce(i) Grym, Jan (URE-Y)
Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCIDCelkový počet autorů 2 Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0268-1242
Roč. 28, č. 4 (2013)Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova Colloidal graphite ; Epitaxial growth ; Schottky barrier diodes Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP LD12014 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 UT WOS 000316345600006 DOI 10.1088/0268-1242/28/4/045006 Anotace Fabrication of high-quality Schottky barriers on InP epitaxial layers prepared by liquid-phase epitaxy from rare-earth treated melts is reported. The Schottky structures are based on metal nanoparticles and a graphite layer deposited from colloidal solutions onto epitaxial layers with varying carrier concentration. The structures have notably high values of the barrier height and of the rectification ratio giving evidence of a small degree of the Fermi-level pinning. Electrical characteristics of these diodes are shown to be extremely sensitive to the exposure of gas mixtures with small hydrogen content. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2014
Počet záznamů: 1