Počet záznamů: 1
How nanocrystalline diamond films become charged in nanoscale
- 1.
SYSNO ASEP 0386473 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název How nanocrystalline diamond films become charged in nanoscale Tvůrce(i) Verveniotis, Elisseos (FZU-D) RID
Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. Diamond and Related Materials. - : Elsevier - ISSN 0925-9635
Roč. 24, č. 4 (2012), s. 39-43Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova nanocrystalline diamond ; local electrostatic charging ; nanoparticle assembly ; CS-AFM ; KFM Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GD202/09/H041 GA ČR - Grantová agentura ČR LC06040 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GAP204/10/0212 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000303099700008 DOI 10.1016/j.diamond.2011.10.002 Anotace Electrostatic charging of oxygen-terminated nanocrystalline diamond (NCD) thin films deposited on silicon in sub-100 nm thickness and with intentionally high relative sp2 phase ratio (60%) is characterized on a microscopic level. By correlating Kelvin Force Microscopy, Current-Sensing Atomic Force Microscopy, micro-Raman spectroscopy and cross-sectional Scanning Electron Microscopy data we show that the charging is determined by both the surface topography (grains and grain boundaries) and complex sub-surface morphology (arrangement of grains and sp2 phase) on scales below 2 × 2 um2. These microscopic data and macroscopic I(V) characteristics evidence that sp2 phase dominates over diamond grains in local electrostatic charging of NCD thin films. Moreover, the tip-surface junction quality is identified as the main factor behind large variations (0.1 to 1 V) of the overall induced electrostatic charge contrast. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1