Počet záznamů: 1  

Influence of CO.sub.2./sub. concentration on diamond film morphology in pulsed linear antenna microwave plasma CVD system

  1. 1.
    SYSNO ASEP0375441
    Druh ASEPK - Konferenční příspěvek (lokální konf.)
    Zařazení RIVStať ve sborníku
    NázevInfluence of CO2 concentration on diamond film morphology in pulsed linear antenna microwave plasma CVD system
    Tvůrce(i) Domonkos, M. (CZ)
    Ižák, Tibor (FZU-D) RID
    Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
    Kromka, Alexander (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Hruška, Karel (FZU-D) RID, ORCID
    Zdroj.dok.Proceedings of the 2nd Winter Education Seminar. - Praha : FZÚ AV ČR, 2011 / Remeš Z. ; Kromka A. ; Ledinský M. - ISBN 978-80-260-0911-5
    S. 33-37
    Poč.str.5 s.
    AkceWinter educational seminar /2./
    Datum konání16.02.2011-18.02.2011
    Místo konáníRokytnice n. J.
    ZeměCZ - Česká republika
    Typ akceCST
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CZ - Česká republika
    Klíč. slovananocrystalline diamond ; large area growth ; growth rate ; CO2 addition ; SEM ; Raman Spectroscopy
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPMEB0810082 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd
    IAAX00100902 GA AV ČR - Akademie věd
    MEB0810081 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    AnotaceThe diamond films were deposited in a pulsed linear antenna microwave plasma system. The influence of CO2 addition into the standard CH4/H2 gas mixture on the diamond film morphology was investigated. The concentration of CO2 varied from 0% up to 80% in CO2/CH4/H2 gas mixture. The film morphology, the growth rate and the ratio of sp3/sp2 carbon bonds were investigated. It was found that increasing of CO2 concentration resulted in enhanced growth rate (from 20 up to 36 nm/h). However, at very high CO2 concentrations (>40%) dominates etching instead of growth process. Moreover, we found that increasing of CO2 enhances the diamond film quality.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2012
Počet záznamů: 1