The deposition of 3C-SiC thin films onto the (111) and (110) faces of Si using pulsed sputtering of a hollow cathode

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0370779
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	The deposition of 3C-SiC thin films onto the (111) and (110) faces of Si using pulsed sputtering of a hollow cathode
Tvůrce(i)	Huguenin-Love, J.L. (US) Lauer, N.T. (US) Soukup, R. J. (US) Ianno, N.J. (US) Kment, Štěpán (FZU-D)_{RID, ORCID} Hubička, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Materials Science Forum - ISSN 0255-5476 645-648, 1-2 (2010), s. 131-134
Poč.str.	4 s.
Akce	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials Location /13./
Datum konání	11.10.2009-16.10.2009
Místo konání	Nurnberg
Země	DE - Německo
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CH - Švýcarsko
Klíč. slova	sputtering ; pulse ; germanium ; 3C
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEZ	AV0Z10100522 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000279657600030
DOI	10.4028/www.scientific.net/MSF.645-648.131
Anotace	Thin films of SiC have been deposited using a hollow cathode sputtering technique. Several methods have been used including DC, RF, and pulsed sputtering. The films reported here have been deposited using DC and pulsed sputtering.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2012

Počet záznamů: 1