Počet záznamů: 1
Thin dielectric resonators for microwave characterization of films and substrates
- 1.
SYSNO ASEP 0368068 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Thin dielectric resonators for microwave characterization of films and substrates Tvůrce(i) Bovtun, Viktor (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pashkov, V. (UA)
Kempa, Martin (FZU-D) RID, ORCID
Molchanov, V. (UA)
Kamba, Stanislav (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Poplavko, Y. (UA)
Yakymenko, Y. (UA)Zdroj.dok. Microwave and Telecommunication Technology (CriMiCo) 2011. 21th International Crimean Conference. - Sevastopol : Veber, 2011 / Ermolov P.P. - ISBN 978-966-335-351-7 Rozsah stran s. 620-621 Poč.str. 2 s. Akce International Crimean Conference "Microwave and Telecommunication Technology" /21./ (CriMiCo´2011) Datum konání 12.09.2011-16.09.2011 Místo konání Sevastopol Země UA - Ukrajina Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. UA - Ukrajina Klíč. slova microwave dielectric properties ; thin film ; dielectric resonator Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) Anotace Thin dielectric resonator consisting only of the low-loss dielectric substrate and deposited film is proposed for the electrode-free microwave characterization of thin films and substrates. In-plane microwave dielectric parameters of a number of substrates and thin films were measured in a broad temperature range using the TE01δ resonance mode. Dielectric anomalies corresponding to the induced phase transitions were observed. The HE11δ mode is proposed for the in-plane dielectric anisotropy characterization. The anisotropy of the (110) DyScO3 substrate was measured. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1