Počet záznamů: 1
Laser assisted electrochemical preparation of micro and nanopores in GaxIn1-xP
- 1.
SYSNO ASEP 0368042 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Laser assisted electrochemical preparation of micro and nanopores in GaxIn1-xP Tvůrce(i) Nohavica, Dušan (URE-Y)
Gladkov, Petar (URE-Y)
Grym, Jan (URE-Y)
Jarchovský, Zdeněk (URE-Y)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Journal of Nanoparticle Research. - : Springer - ISSN 1388-0764
Roč. 13, č. 11 (2011), s. 5873-5877Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova Anodizace ; GaInP ; Nanopory Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GAP108/10/0253 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000297351600033 DOI 10.1007/s11051-011-0371-6 Anotace We report on the preparation of lattice matched Ga(x)In(1-x)P/GaAs heterostructures by liquid phase epitaxy and their electrochemical etching to prepare porous networks.We show that the process of formation of pores strongly depends on the electrolyte, on the applied current/voltage anodization regime, and that illumination is a crucial factor in obtaining fine porous structureswith a high degree of self-organization. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1