Počet záznamů: 1
Highly sensitive hydrogen sensor based on graphite-InP or graphite-GaN Schottky barrier with electrophoretically deposited Pd nanoparticles
- 1.
SYSNO ASEP 0368040 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Highly sensitive hydrogen sensor based on graphite-InP or graphite-GaN Schottky barrier with electrophoretically deposited Pd nanoparticles Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y) Celkový počet autorů 1 Zdroj.dok. Nanoscale Research Letters. - : Springer - ISSN 1931-7573
Roč. 6, č. 490 (2011), s. 4901-49010Poč.str. 10 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova semiconductor devices ; nanostructures ; sensors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP OC10021 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000296254000002 DOI 10.1186/1556-276X-6-490 Anotace Depositions of Pd nanoparticles (NPs) were performed on surfaces of semiconductor wafers of InP and GaN from isooctane colloid solutions with reverse micelles. Diodes were prepared by making Schottky contacts with colloidal graphite on semiconductor surfaces previously deposited with Pd NPs. Large increase of current was observed after exposing voltage biased diodes to flow of hydrogen and nitrogen blend, representing more than two orders-of-magnitude improvement over the best results reported up to now. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1