Počet záznamů: 1
Unconventional Imaging with Backscattered Electrons
- 1.
SYSNO ASEP 0367773 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Unconventional Imaging with Backscattered Electrons Tvůrce(i) Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Mikmeková, Šárka (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Hovorka, Miloš (UPT-D)
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCIDCelkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Microscopy and Microanalysis. - : Cambridge University Press - ISSN 1431-9276
Roč. 17, Suppl. 2 (2011), s. 900-901Poč.str. 2 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova SEM ; low energies ; grain contrast ; dopant contrast ; internal stress Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) DOI https://doi.org/10.1017/S143192761100537X Anotace Immesrsion of the sample in a scanning electron microscope to strong electric field enables one to acquire the backscattered electrons (BSE) throughout full energy and angle range of emission. BSE emitted at high angles off the surface normal provide extended crystallographic information with high grain contrast sensitive to details including visualization of the internal stress. At very low energies the BSE yield may serve as fingerprinting the grain orientation. The dopant contrast can be obtained via injection of very slow electrons. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1