Unconventional Imaging with Backscattered Electrons

Počet záznamů: 1

1.

SYSNO ASEP	0367773
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Ostatní články
Název	Unconventional Imaging with Backscattered Electrons
Tvůrce(i)	Müllerová, Ilona (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID} Mikmeková, Šárka (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID} Hovorka, Miloš (UPT-D) Frank, Luděk (UPT-D)_{RID, SAI, ORCID}
Celkový počet autorů	4
Zdroj.dok.	Microscopy and Microanalysis. - : Cambridge University Press - ISSN 1431-9276 Roč. 17, Suppl. 2 (2011), s. 900-901
Poč.str.	2 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	SEM ; low energies ; grain contrast ; dopant contrast ; internal stress
Vědní obor RIV	JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEZ	AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
DOI	10.1017/S143192761100537X
Anotace	Immesrsion of the sample in a scanning electron microscope to strong electric field enables one to acquire the backscattered electrons (BSE) throughout full energy and angle range of emission. BSE emitted at high angles off the surface normal provide extended crystallographic information with high grain contrast sensitive to details including visualization of the internal stress. At very low energies the BSE yield may serve as fingerprinting the grain orientation. The dopant contrast can be obtained via injection of very slow electrons.
Pracoviště	Ústav přístrojové techniky
Kontakt	Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178
Rok sběru	2012

Počet záznamů: 1