Počet záznamů: 1
Mapping of dopants in silicon by injection of electrons
- 1.
SYSNO ASEP 0367280 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Mapping of dopants in silicon by injection of electrons Tvůrce(i) Hovorka, Miloš (UPT-D)
Konvalina, Ivo (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Mikulík, P. (CZ)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. MC 2011 - Microscopy Conference Kiel. - Kiel : DGE, 2011 - ISBN 978-3-00-033910-3 Rozsah stran im7.p198:1-2 Poč.str. 2 s. Akce MC 2011 - Microscopy Conference Datum konání 28.08.2011-02.09.2011 Místo konání Kiel Země DE - Německo Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova dopant ; silicon ; scanning electron microscopy Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP IAA100650902 GA AV ČR - Akademie věd GAP108/11/2270 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011) Anotace Scanning electron microscope belongs to viable tools for mapping the density of dopants in semiconductors. For probing the silicon structures usually the electron beam is used at energies around 1 keV because of high contrasts between differently doped areas. However, also the very low landing energy range has proven itself an efficient tool for mapping the dopants. We have focused on p-type structures of various dopant densities. Imaging by means of secondary electrons (SE) and its quantifiability has been verified and the method was extended to very low energies where dynamical changes in the contrast have been observed. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1