Počet záznamů: 1
Magnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu
- 1.
SYSNO ASEP 0365408 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Magnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu Tvůrce(i) Sofer, Z. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Moram, M. (GB)
Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Buchal, C. (DE)
Hardtdegen, H. (DE)
Václavů, M. (CZ)
Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
Groetzschel, R. (DE)
Mikulics, M. (DE)
Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Maryško, Miroslav (FZU-D) RIDCelkový počet autorů 12 Zdroj.dok. Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
Roč. 519, č. 18 (2011), s. 6120-6125Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova Magnetic semiconductors ; III-V semiconductors ; Ion implantation ; X-ray diffraction ; Rutherford backscattering spectroscopy Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače CEP GA104/09/1269 GA ČR - Grantová agentura ČR GA106/09/0125 GA ČR - Grantová agentura ČR GA104/09/0621 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000292576500049 DOI 10.1016/j.tsf.2011.04.110 Anotace We present a complex study of rare earth elements implanted GaN layers grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy on c-plane sapphire substrates. Gd, Dy, La and Lu ions were implanted with energies of 200 key and doses ranging from 5 x 10(13) to 4 x 10(17) atoms.cm(-2). The chemical composition and concentration profiles of ion-implanted layers were studied by secondary ion mass spectrometry and Rutherford back scattering. The structural properties of the layers were characterized by Rutherford back scattering/channeling and X-ray diffraction reciprocal space mapping. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1