Počet záznamů: 1
Detection of stacking faults breaking the [110]/[1-10] symmetry in ferromagnetic semiconductors (Ga,Mn)As and (Ga,Mn)(As,P)
- 1.
SYSNO ASEP 0364316 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Detection of stacking faults breaking the [110]/[1-10] symmetry in ferromagnetic semiconductors (Ga,Mn)As and (Ga,Mn)(As,P) Tvůrce(i) Kopecký, Miloš (FZU-D) RID, ORCID
Kub, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Máca, František (FZU-D) RID, ORCID
Mašek, Jan (FZU-D) RID
Pacherová, Oliva (FZU-D) RID, ORCID
Rushforth, A.W. (GB)
Gallagher, B. L. (GB)
Campion, R. P. (GB)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDZdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 83, č. 23 (2011), , , "235324-1"-"235324-7"Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova ferrmagnetic semiconductor ; crystal structure ; magnetic anisotropy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP IAA100100912 GA AV ČR - Akademie věd 7E08087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000291603500009 DOI 10.1103/PhysRevB.83.235324 Anotace We report high resolution x-ray diffraction measurements of (Ga,Mn)As and (Ga,Mn)(As,P) epilayers. We observe a structural anisotropy in the form of stacking faults which are present in the (111) and (11-1) planes and absent in the (-111) and (1-11) planes. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1