Počet záznamů: 1
Testing of surface properties pre-rad and post-rad of n-in-p silicon sensors for very high radiation environment
- 1.
SYSNO ASEP 0361427 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Testing of surface properties pre-rad and post-rad of n-in-p silicon sensors for very high radiation environment Tvůrce(i) Lindgren, S. (US)
Affolder, A.A. (GB)
Allport, P.P. (GB)
Bates, R. (GB)
Betancourt, C. (US)
Böhm, Jan (FZU-D)
Brown, H. (GB)
Buttar, C. (GB)
Carter, J. R. (GB)
Casse, G. (GB)
Mikeštíková, Marcela (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 73 Zdroj.dok. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002
Roč. 636, č. 1 (2011), "S111"-"S117"Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova p-bulk silicon ; surface damage ; charge collection ; punch-through voltage Vědní obor RIV BF - Elementární částice a fyzika vys. energií CEP LA08032 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000291416400019 DOI 10.1016/j.nima.2010.04.094 Anotace We are developing n+-in-p, p-bulk and n-readout, microstrip sensors as a non-inverting radiation hard silicon detector for the ATLAS Tracker Upgrade at the super LHC experiment. The surface radiation damages of the sensors fabricated by Hamamatsu Photonics are characterized on the interstrip capacitance, interstrip resistance and punch-through protection evolution. The detector should provide acceptable strip isolation, exceeding the input impedance of the signal readout chip ~1 kΩ, after the integrated luminosity of 6 ab−1, which is twice the luminosity goal. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1