Počet záznamů: 1
Raman Spectroscopy and in Situ Raman Spectroelectrochemistry of Bilayer 12C/13C Graphene
- 1.
SYSNO ASEP 0359533 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Raman Spectroscopy and in Situ Raman Spectroelectrochemistry of Bilayer 12C/13C Graphene Tvůrce(i) Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
Farhat, H. (US)
Kong, J. (US)
Janda, Pavel (UFCH-W) RID, ORCID
Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCID
Dresselhaus, M. S. (US)Zdroj.dok. Nano Letters. - : American Chemical Society - ISSN 1530-6984
Roč. 11, č. 5 (2011), s. 1957-1963Poč.str. 7 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova graphene ; bilayer ; Raman Spectroscopy Vědní obor RIV CG - Elektrochemie CEP IAA400400911 GA AV ČR - Akademie věd IAA400400804 GA AV ČR - Akademie věd KAN200100801 GA AV ČR - Akademie věd ME09060 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GC203/07/J067 GA ČR - Grantová agentura ČR GAP204/10/1677 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z40400503 - UFCH-W (2005-2011) UT WOS 000290373000018 DOI 10.1021/nl2001956 Anotace Bilayer graphene was prepared by the subsequent deposition of a 13C single-layer graphene and a 12C single-layer graphene on top of a SiO2/Si substrate. The bilayer graphene thus prepared was studied using Raman spectroscopy and in situ Raman spectroelectrochemistry. The Raman frequencies of the 13C graphene bands are significantly shifted with respect to those of 12C graphene, which allows us to investigate the single layer components of bilayer graphene individually. It is shown that the bottom layer of the bilayer graphene is significantly doped from the substrate, while the top layer does not exhibit a signature of the doping from the environment. The electrochemical doping has the same effect on the charge carrier concentration at the top and the bottom layer despite the top layer being the only layer in contact with the electrolyte. Pracoviště Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského Kontakt Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1