Počet záznamů: 1
Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures
- 1.
SYSNO ASEP 0356263 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures Tvůrce(i) Šrobár, Fedor (URE-Y)
Procházková, Olga (URE-Y)Celkový počet autorů 2 Zdroj.dok. Conference Proceedings ASDAM 2010. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. - ISBN 978-1-4244-8574-1 Rozsah stran s. 275-278 Poč.str. 4 s. Akce ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Datum konání 25.10.2010-27.10.2010 Místo konání Smolenice Země SK - Slovensko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova Chemical sensors ; Interface phenomena ; Semiconductor devices Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP GA102/09/1037 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) EID SCOPUS 78651413148 DOI 10.1109/ASDAM.2010.5667006 Anotace Constitutive P – E (dielectric polarization versus external electric field intensity) equation of the dipole ensemble in MOS-based hydrogen sensors is derived supposing Langmuir-type hydrogen absorption and a two-valley model of the elementary dipole energy. Depending on the energy difference of the minima, the P – E isotherms exhibit a rather sudden flip of the dipole orientation from antiparallel to parallel with respect to the E vector. Rabi resonance experiments could be based on this phenomenon. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1