Počet záznamů: 1
MO CVD growth of ZnO with different growth rate
- 1.
SYSNO ASEP 0356074 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název MO CVD growth of ZnO with different growth rate Tvůrce(i) Nohavica, Dušan (URE-Y)
Gladkov, Petar (URE-Y)
Grym, Jan (URE-Y)
Jarchovský, Zdeněk (URE-Y)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Conference Proceedings ASDAM 2010. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. - ISBN 978-1-4244-8574-1 Rozsah stran s. 187-190 Poč.str. 4 s. Akce ASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Datum konání 25.10.2010-27.10.2010 Místo konání Smolenice Země SK - Slovensko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova ZnO ; MOCVD ; Growth rate Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) EID SCOPUS 78651437055 DOI 10.1109/ASDAM.2010.5666333 Anotace Apparatus combining N2O plasma, DEZn transported in argon and UV irradiation of the deposition zone has been used. Vapor pressure during deposition was stabilised in the range 10 to 20 torr. ZnO layers were deposited on Si (100) and GaP (111) substrates. Growth rate changes in the range 2 to 90 μm/hour. Surface morphology at smaller growth rate was regular nanowalls type. More complex morphology, containing longer microrods and pyramids was obtained at high growth rate. Best sample grown at growth rate 80μm/hour demonstrate FWHM of the bound exciton peak ~4meV. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1