Počet záznamů: 1
EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs
- 1.
SYSNO ASEP 0356059 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název EPITAXIAL OVERGROWTH OF InP and GaAs MICROPORES, MICROCAVITIES AND MICROLAMELLAS BY InAs AND InGaAs Tvůrce(i) Nohavica, Dušan (URE-Y)
Grym, Jan (URE-Y)
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Gladkov, Petar (URE-Y)
Jarchovský, Zdeněk (URE-Y)Celkový počet autorů 6 Zdroj.dok. CONFERENCE PROCEEDINGS NANOCON 2010. - Ostrava : TANGER, 2010 / Zbořil R. - ISBN 978-80-87294-19-2 Rozsah stran s. 28-33 Poč.str. 6 s. Akce NANOCON 2010. International Conference /2./ Datum konání 12.10.2010-14.10.2010 Místo konání Olomouc Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova A3B5 ; micropores ; heteroepitaxy Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000286656400004 Anotace Structural and optical properties of micro and nano-porous InP and GaAs substrates used for an epitaxial overgrowth of thin films were investigated. Both crystalographically oriented (CO) and current line oriented (CLO) pore networks were created by electrochemical dissolution. Heat treatment of InP pores at 650oC and GaAs pores at 750-850oC converted them into microcavities The capability of improved structural quality homo- and hetero-epitaxially overgrown films on the porous InP, was also demonstrated by LPE growth of InP and InAs and GaInAs on GaAs by MOVPE technology. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1