Počet záznamů: 1
Semi-insulating GaAs radiation detectors: PICTS study of neutron-induced defects
- 1.
SYSNO ASEP 0355867 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Semi-insulating GaAs radiation detectors: PICTS study of neutron-induced defects Tvůrce(i) Dubecký, F. (SK)
Ladzianský, M. (SK)
Kindl, Dobroslav (FZU-D) RID
Nečas, V. (SK)Zdroj.dok. ASDAM 2010. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinsky E. - ISBN 978-1-4244-8572-7 Rozsah stran s. 207-210 Poč.str. 4 s. Akce ASDAM 2010 - The Eight International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Datum konání 25.10.2010-27.10.2010 Místo konání Smolenice Castle Země SK - Slovensko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova SI GaAs detectors ; neutron bombardment ; deep levels ; PICTS Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace Degradation of semi-insulating GaAs detectors after fast neutron bombardment was investigated by means of I-V and PICTS measurements. Significant rise of detector reverse current as well as formation of dominating neutron-induced deep-level complex defect is observed at high neutron fluencies. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1